二極管特性及應(yīng)用（二極管特性）

關(guān)于二極管特性及應(yīng)用，二極管特性這個問題很多朋友還不知道，今天小六來為大家解答以上的問題，現(xiàn)在讓我們一起來看看吧！

1、二極管的特性：正向性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。

2、這個不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。

3、當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場被克服，二極管正向?qū)?，電流隨電壓增大而迅速上升。

4、在正常使用的電流范圍內(nèi)，導(dǎo)通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。

5、當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值，內(nèi)電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向?qū)ā?/p>

6、叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。

7、硅二極管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.8V，鍺二極管的正向?qū)▔航导s為0.2~0.3V。

8、2、反向性外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動所形成反向電流。

9、由于反向電流很小，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。

10、這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。

11、一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級，小功率鍺管在μA數(shù)量級。

12、溫度升高時，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。

13、1）、擊穿外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。

14、引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。

15、電擊穿時二極管失去單向?qū)щ娦浴?/p>

16、如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞挥谰闷茐模诔烦饧与妷汉?，其性能仍可恢?fù)，否則二極管就損壞了。

17、因而使用時應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。

18、二極管是一種具有單向?qū)щ姷亩似骷?，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管因為燈絲的熱損耗，效率比晶體二極管低，所以現(xiàn)已很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極管。

19、二極管的單向?qū)щ娞匦裕瑤缀踉谒械碾娮与娐分?，都要用到半?dǎo)體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用也非常廣泛。

20、二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V，發(fā)光二極管正向管壓降會隨不同發(fā)光顏色而不同。

21、主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發(fā)光二極管的壓降為2.0--2.2V，黃色發(fā)光二極管的壓降為1.8—2.0V，綠色發(fā)光二極管的壓降為3.0—3.2V，正常發(fā)光時的額定電流約為20mA。

22、二極管的電壓與電流不是線性關(guān)系，所以在將不同的二極管并聯(lián)的時候要接相適應(yīng)的電阻。

23、2）、特性曲線與PN結(jié)一樣，二極管具有單向?qū)щ娦浴?/p>

24、硅二極管典型伏安特性曲線（圖）。

25、在二極管加有正向電壓，當(dāng)電壓值較小時，電流極?。划?dāng)電壓超過0.6V時，電流開始按指數(shù)規(guī)律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當(dāng)電壓達(dá)到約0.7V時，二極管處于完全導(dǎo)通狀態(tài)，通常稱此電壓為二極管的導(dǎo)通電壓，用符號UD表示。

26、對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導(dǎo)通電壓UD約為0.3V。

27、在二極管加有反向電壓，當(dāng)電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。

28、當(dāng)反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。

29、不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。

30、3、反向擊穿1）、齊納擊穿反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。

31、在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。

32、如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。

33、2）、雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。

34、當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。

35、新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。

36、無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)永久性損壞。

37、主要參數(shù)：用表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo)，稱為二極管的參數(shù)。

38、不同類型的二極管有不同的特性參數(shù)。

39、對初學(xué)者而言，必須了解以下幾個主要參數(shù)：最大整流電流IF是指二極管長期連續(xù)工作時，允許通過的最大正向平均電流值，其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。

40、因為電流通過管子時會使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為141左右，鍺管為90左右）時，就會使管芯過熱而損壞。

41、所以在規(guī)定散熱條件下，二極管使用中不要超過二極管最大整流電流值。

42、例如，常用的IN4001－4007型鍺二極管的額定正向工作電流為1A。

43、2、最高反向工作電壓Udrm加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向?qū)щ娔芰Α?/p>

44、為了保證使用安全，規(guī)定了最高反向工作電壓值。

45、例如，IN4001二極管反向耐壓為50V，IN4007反向耐壓為1000V。

46、3、反向電流Idrm反向電流是指二極管在常溫（25℃）和最高反向電壓作用下，流過二極管的反向電流。

47、反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶谩?/p>

48、值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。

49、例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250uA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達(dá)8mA，不僅失去了單方向?qū)щ娞匦裕€會使管子過熱而損壞。

50、又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流僅為5uA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160uA。

51、故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。

52、4.動態(tài)電阻Rd二極管特性曲線靜態(tài)工作點Q附近電壓的變化與相應(yīng)電流的變化量之比。

53、5最高工作頻率FmFm是二極管工作的上限頻率。

54、因二極管與PN結(jié)一樣，其結(jié)電容由勢壘電容組成。

55、所以Fm的值主要取決于PN結(jié)結(jié)電容的大小。

56、若是超過此值。

57、則單向?qū)щ娦詫⑹苡绊憽?/p>

58、6，電壓溫度系數(shù)αuzαuz指溫度每升高一攝氏度時的穩(wěn)定電壓的相對變化量。

59、uz為6v左右的穩(wěn)壓二極管的溫度穩(wěn)定性較好。

本文分享完畢，希望對大家有所幫助。

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