關(guān)于ssd是什么牌子，ssd是什么這個(gè)問(wèn)題很多朋友還不知道，今天小六來(lái)為大家解答以上的問(wèn)題，現(xiàn)在讓我們一起來(lái)看看吧！
1、SSD(Solid State Disk)泛指使用NAND Flash組成的固態(tài)盤。
2、相比傳統(tǒng)的磁盤，閃存（FLASH）有固有的優(yōu)勢(shì)，非易失性，存取速度快，抗震和低功耗。
3、所以，它在嵌入式系統(tǒng)中被廣泛采用，如USB閃盤，CF卡存儲(chǔ)器，移動(dòng)設(shè)備等。
4、SSD很有可能徹底改變存儲(chǔ)系統(tǒng)的前景。
5、閃存可分為兩大規(guī)格，一種是NAND FLASH ，一種是NOR FLASH。
6、NOR FLASH具有單獨(dú)的地址線和單獨(dú)的數(shù)據(jù)線，NAND FLASH的數(shù)據(jù)，地址都是通過(guò)同一個(gè)IO總線傳遞。
7、NAND FLASH的擦寫次數(shù)，最大可達(dá)到百萬(wàn)次，而NOR FLASH:只能擦寫十幾萬(wàn)次。
8、NOR FLASH的讀速度比NAND FLASH稍快一些，NAND FLASH的寫入和擦除速度比NOR FLASH快很多。
9、而且NAND FLASH與NOR FLASH相比，成本要低一些，而容量大得多。
10、因此，NOR FLASH比較適合頻繁隨機(jī)讀寫的場(chǎng)合。
11、NAND FLASH主要用來(lái)存儲(chǔ)資料，我們常用的閃存產(chǎn)品，如閃存盤、數(shù)碼存儲(chǔ)卡都是用NAND FLASH。
12、NAND FLASH分為SLC-單層式儲(chǔ)存（Single-Level Cell）和MLC-多層式儲(chǔ)存（Multi-Level Cell）。
13、SLC每個(gè)存儲(chǔ)單元存放1 bit 數(shù)據(jù)，該值由高低不同的兩個(gè)閾值電壓來(lái)區(qū)分。
14、MLC 的每個(gè)存儲(chǔ)單元存放2 bit或3 bit數(shù)據(jù)，可以表示4個(gè)或8個(gè)不同的值。
15、與SLC閃存相比，MLC閃存價(jià)格較低，但性能和壽命卻不如SLC。
16、SLC可以存取10萬(wàn)次，而MLC只能承受約1萬(wàn)次的存取。
17、由于SLC的壽命和性能的提高，普遍認(rèn)為SLC非常適合企業(yè)級(jí)應(yīng)用。
18、所以，一般SLC用在工業(yè)和領(lǐng)域，MLC主要用在消費(fèi)電子領(lǐng)域。
19、目前，SLC的單顆粒一般為16Gb-32Gb，MLC的單顆粒為32Gb-64Gb。
20、SSD(Solid State Disk)泛指使用NAND Flash組成的固態(tài)盤。
21、SSD必須包含主機(jī)接口邏輯來(lái)支持某些形式的物理主機(jī)接口連接(USB，F(xiàn)iberChannel，PCI Express，SATA)和邏輯磁盤仿真，就像FTL(flash translation layer)機(jī)制可以使SSD模擬硬盤。
22、主機(jī)互聯(lián)的帶寬嚴(yán)重的制約了整個(gè)系統(tǒng)的性能，所以，它必須和flash的性能相匹配。
23、沿著基本數(shù)據(jù)路徑有未處理的和已經(jīng)處理的請(qǐng)求，內(nèi)部的緩沖管理放置這些請(qǐng)求。
24、復(fù)用器可以發(fā)出指令，并且處理flash的串行接口的數(shù)據(jù)傳輸。
25、復(fù)用器也可以包含附加的邏輯，例如指令和數(shù)據(jù)的緩沖。
26、處理器用來(lái)處理請(qǐng)求流和管理邏輯塊地址到flash上物理位置的映像。
27、處理器，緩沖管理和復(fù)用器通常在例如ASIC、FPGA的分離元件上實(shí)現(xiàn)，而且數(shù)據(jù)在這些邏輯部件之間的流動(dòng)是非?？斓?。
28、處理器及其相關(guān)的RAM是可以集成的。
本文分享完畢，希望對(duì)大家有所幫助。
標(biāo)簽：
免責(zé)聲明：本文由用戶上傳，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除！