關(guān)于離子注入機波形，離子注入機這個問題很多朋友還不知道，今天小六來為大家解答以上的問題，現(xiàn)在讓我們一起來看看吧！
1、離子注入機原理：離子注入機由離子源、質(zhì)量分析器、加速器、四級透鏡、掃描系統(tǒng)和靶室組成，可以根據(jù)實際需要省去次要部位。
2、離子源是離子注入機的主要部位，作用是把需要注入的元素氣態(tài)粒子電離成離子，決定要注入離子的種類和束流強度。
3、離子源直流放電或高頻放電產(chǎn)生的電子作為轟擊粒子，當外來電子的能量高于原子的電離電位時，通過碰撞使元素發(fā)生電離。
4、碰撞后除了原始電子外，還出現(xiàn)正電子和二次電子。
5、正離子進入質(zhì)量分析器選出需要的離子，再經(jīng)過加速器獲得較高能量，由四級透鏡聚焦后進入靶室，進行離子注入。
6、高能離子注入的優(yōu)勢：多樣性：原則上任何元素都可以作為注入離子；形成的結(jié)構(gòu)可不受熱力學(xué)參數(shù)（擴散、溶解度等）限制；不改變：不改變工件的原有尺寸和粗糙度等；適合于各類精密零件生產(chǎn)的最后一道工序；牢固性：注入離子直接和材料表面原子或分子結(jié)合，形成改性層，改性層和基底材料沒有清晰的界面，結(jié)合牢靠，不存在脫落的現(xiàn)象；不受限：注入過程在材料溫度低于零下、高到幾百上千度都可以進行；可對那些普通方法不能處理的材料進行表面強化，如塑料、回火溫度低的鋼材等；應(yīng)用：離子注入機是集成電路制造前工序中的關(guān)鍵設(shè)備，離子注入是對半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進行摻雜的技術(shù)，其目的是改變半導(dǎo)體的載流子濃度和導(dǎo)電類型。
7、離子注入與常規(guī)熱摻雜工藝相比可對注入劑量、注入角度、注入深度、橫向擴散等方面進行精確的控制，克服了常規(guī)工藝的限制，提高了電路的集成度、開啟速度、成品率和壽命，降低了成本和功耗。
8、離子注入機廣泛用于摻雜工藝，可以滿足淺結(jié)、低溫和精確控制等要求，已成為集成電路制造工藝中必不可少的關(guān)鍵裝備。
本文分享完畢，希望對大家有所幫助。
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