關(guān)于哪類存儲(chǔ)器的存取速度最快，哪種類型的存儲(chǔ)器主要用作緩存存儲(chǔ)器這個(gè)問(wèn)題很多朋友還不知道，今天小六來(lái)為大家解答以上的問(wèn)題，現(xiàn)在讓我們一起來(lái)看看吧！
1、SRAM。
2、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。
3、所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。
4、然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失（被稱為volatile memory），這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
5、SRAM主要用于二級(jí)高速緩存（Level2 Cache)。
6、它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
7、與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。
8、SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種。
9、擴(kuò)展資料：SRAM的問(wèn)題：采用FinFET晶體管的最新CMOS技術(shù)，單元尺寸的效率越來(lái)越低。
10、平面到FinFET的轉(zhuǎn)變對(duì)SRAM單元的布局效率具有顯著影響。
11、使用FinFET的臨界間距逐漸縮小導(dǎo)致SRAM單元尺寸減小迅速減慢。
12、考慮到對(duì)更大的片上SRAM容量的不斷增長(zhǎng)的需求，這種情況的時(shí)機(jī)不會(huì)更糟。
13、距離SRAM將占據(jù)DSA處理器大小的情況并不遙遠(yuǎn)。
14、2、從正電源通過(guò)SRAM單元流到地的漏電流。
15、其中很大一部分原因是亞閾值晶體管泄漏呈指數(shù)級(jí)溫度激活，這意味著隨著芯片變熱，它會(huì)急劇增加。
16、這導(dǎo)致能量浪費(fèi)，因?yàn)樗鼪](méi)有任何有用的工作。
17、雖然通常稱為靜態(tài)功耗，但這種泄漏也會(huì)在SRAM處于有效使用狀態(tài)時(shí)發(fā)生，并形成浪費(fèi)能量的下限。
18、參考資料來(lái)源：。
本文分享完畢，希望對(duì)大家有所幫助。
標(biāo)簽：
免責(zé)聲明：本文由用戶上傳，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除！