關(guān)于存儲器英文,存儲器這個問題很多朋友還不知道,今天小六來為大家解答以上的問題,現(xiàn)在讓我們一起來看看吧!
1、一、RAM(Random Access Memory,隨機存取存儲器)RAM的特點是:電腦開機時,操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序的所有正在運行的數(shù)據(jù)和程序都會放置其中,并且隨時可以對存放在里面的數(shù)據(jù)進行修改和存取。
2、它的工作需要由持續(xù)的電力提供,一旦系統(tǒng)斷電,存放在里面的所有數(shù)據(jù)和程序都會自動清空掉,并且再也無法恢復(fù)。
3、根據(jù)組成元件的不同,RAM內(nèi)存又分為以下十八種:***.dram(Dynamic RAM,動態(tài)隨機存取存儲器)這是最普通的RAM,一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元,DRAM將每個內(nèi)存位作為一個電荷保存在位存儲單元中,用電容的充放電來做儲存動作,但因電容本身有漏電問題,因此必須每幾微秒就要刷新一次,否則數(shù)據(jù)會丟失。
4、存取時間和放電時間一致,約為2~4ms。
5、因為成本比較便宜,通常都用作計算機內(nèi)的主存儲器。
6、***.sram(Static RAM,靜態(tài)隨機存取存儲器)靜態(tài),指的是內(nèi)存里面的數(shù)據(jù)可以長駐其中而不需要隨時進行存取。
7、每6顆電子管組成一個位存儲單元,因為沒有電容器,因此無須不斷充電即可正常運作,因此它可以比一般的動態(tài)隨機處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定,往往用來做高速緩存。
8、***.vram(Video RAM,視頻內(nèi)存)它的主要功能是將顯卡的視頻數(shù)據(jù)輸出到數(shù)模轉(zhuǎn)換器中,有效降低繪圖顯示芯片的工作負擔(dān)。
9、它采用雙數(shù)據(jù)口設(shè)計,其中一個數(shù)據(jù)口是并行式的數(shù)據(jù)輸出入口,另一個是串行式的數(shù)據(jù)輸出口。
10、多用于高級顯卡中的高檔內(nèi)存。
11、***.fpm DRAM(Fast Page Mode DRAM,快速頁切換模式動態(tài)隨機存取存儲器)改良版的DRAM,大多數(shù)為72Pin或30Pin的模塊。
12、傳統(tǒng)的DRAM在存取一個BIT的數(shù)據(jù)時,必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數(shù)據(jù)。
13、而FRM DRAM在觸發(fā)了行地址后,如果CPU需要的地址在同一行內(nèi),則可以連續(xù)輸出列地址而不必再輸出行地址了。
14、由于一般的程序和數(shù)據(jù)在內(nèi)存中排列的地址是連續(xù)的,這種情況下輸出行地址后連續(xù)輸出列地址就可以得到所需要的數(shù)據(jù)。
15、FPM將記憶體內(nèi)部隔成許多頁數(shù)Pages,從512B到數(shù)KB不等,在讀取一連續(xù)區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)時,就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內(nèi)的資料,從而大大提高讀取速度。
16、在96年以前,在486時代和PENTIUM時代的初期, FPM DRAM被大量使用。
17、***.edo DRAM(Extended Data Out DRAM,延伸數(shù)據(jù)輸出動態(tài)隨機存取存儲器)這是繼FPM之后出現(xiàn)的一種存儲器,一般為72Pin、168Pin的模塊。
18、它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數(shù)據(jù)時必須輸出行地址和列地址并使其穩(wěn)定一段時間,然后才能讀寫有效的數(shù)據(jù),而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。
19、因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間,其存取速度一般比FPM模式快15%左右。
20、它一般應(yīng)用于中檔以下的Pentium主板標準內(nèi)存,后期的486系統(tǒng)開始支持EDO DRAM,到96年后期,EDO DRAM開始執(zhí)行。
21、***.bedo DRAM(Burst Extended Data Out DRAM,爆發(fā)式延伸數(shù)據(jù)輸出動態(tài)隨機存取存儲器)這是改良型的EDO DRAM,是由美光公司提出的,它在芯片上增加了一個地址計數(shù)器來追蹤下一個地址。
22、它是突發(fā)式的讀取方式,也就是當(dāng)一個數(shù)據(jù)地址被送出后,剩下的三個數(shù)據(jù)每一個都只需要一個周期就能讀取,因此一次可以存取多組數(shù)據(jù),速度比EDO DRAM快。
23、但支持BEDO DRAM內(nèi)存的主板可謂少之又少,只有極少幾款提供支持(如VIA APOLLO VP2),因此很快就被DRAM取代了。
24、***.mdram(Multi-Bank DRAM,多插槽動態(tài)隨機存取存儲器)MoSys公司提出的一種內(nèi)存規(guī)格,其內(nèi)部分成數(shù)個類別不同的小儲存庫 (BANK),也即由數(shù)個屬立的小單位矩陣所構(gòu)成,每個儲存庫之間以高于外部的資料速度相互連接,一般應(yīng)用于高速顯示卡或加速卡中,也有少數(shù)主機板用于L2高速緩存中。
25、***.wram(Window RAM,窗口隨機存取存儲器)韓國Samsung公司開發(fā)的內(nèi)存模式,是VRAM內(nèi)存的改良版,不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器,并采用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快,另外還提供了區(qū)塊搬移功能(BitBlt),可應(yīng)用于專業(yè)繪圖工作上。
26、***.rdram(Rambus DRAM,高頻動態(tài)隨機存取存儲器)Rambus公司獨立設(shè)計完成的一種內(nèi)存模式,速度一般可以達到500~530MB/s,是DRAM的10倍以上。
27、但使用該內(nèi)存后內(nèi)存控制器需要作相當(dāng)大的改變,因此它們一般應(yīng)用于專業(yè)的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內(nèi)存中。
28、***.sdram(Synchronous DRAM,同步動態(tài)隨機存取存儲器)這是一種與CPU實現(xiàn)外頻Clock同步的內(nèi)存模式,一般都采用168Pin的內(nèi)存模組,工作電壓為3.3V。
29、 所謂clock同步是指內(nèi)存能夠與CPU同步存取資料,這樣可以取消等待周期,減少數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t,因此可提升計算機的性能和效率。
30、***.sgram(Synchronous Graphics RAM,同步繪圖隨機存取存儲器)SDRAM的改良版,它以區(qū)塊Block,即每32bit為基本存取單位,個別地取回或修改存取的資料,減少內(nèi)存整體讀寫的次數(shù),另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器,并提供區(qū)塊搬移功能(BitBlt),效率明顯高于SDRAM。
31、12.SB SRAM(Synchronous Burst SRAM,同步爆發(fā)式靜態(tài)隨機存取存儲器)一般的SRAM是非同步的,為了適應(yīng)CPU越來越快的速度,需要使它的工作時脈變得與系統(tǒng)同步,這就是SB SRAM產(chǎn)生的原因。
32、***.pb SRAM(Pipeline Burst SRAM,管線爆發(fā)式靜態(tài)隨機存取存儲器)CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內(nèi)存提出了更高的要求,管線爆發(fā)式SRAM取代同步爆發(fā)式SRAM成為必然的選擇,因為它可以有效地延長存取時脈,從而有效提高訪問速度。
33、***.ddr SDRAM(Double Data Rate二倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器)作為SDRAM的換代產(chǎn)品,它具有兩大特點:其一,速度比SDRAM有一倍的提高;其二,采用了DLL(Delay Locked Loop:延時鎖定回路)提供一個數(shù)據(jù)濾波信號。
34、這是目前內(nèi)存市場上的主流模式。
35、***.sldram (Synchronize Link,同步鏈環(huán)動態(tài)隨機存取存儲器)這是一種擴展型SDRAM結(jié)構(gòu)內(nèi)存,在增加了更先進同步電路的同時,還改進了邏輯控制電路,不過由于技術(shù)顯示,投入實用的難度不小。
36、***.cdram(CACHED DRAM,同步緩存動態(tài)隨機存取存儲器)這是三菱電氣公司首先研制的專利技術(shù),它是在DRAM芯片的外部插針和內(nèi)部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。
37、當(dāng)前,幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率,隨著CPU時鐘頻率的成倍提高,CACHE不被選中對系統(tǒng)性能產(chǎn)生的影響將會越來越大,而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足,因此能極大地提高CPU效率。
38、***.ddrii (Double Data Rate Synchronous DRAM,第二代同步雙倍速率動態(tài)隨機存取存儲器)DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯(lián)盟于1999年解散后將既有的研發(fā)成果與DDR整合之后的未來新標準。
39、DDRII的詳細規(guī)格目前尚未確定。
40、***.drdram (Direct Rambus DRAM)是下一代的主流內(nèi)存標準之一,由Rambus 公司所設(shè)計發(fā)展出來,是將所有的接腳都連結(jié)到一個共同的Bus,這樣不但可以減少控制器的體積,已可以增加資料傳送的效率。
41、二、ROM(READ Only Memory,只讀存儲器)ROM是線路最簡單半導(dǎo)體電路,通過掩模工藝,一次性制造,在元件正常工作的情況下,其中的代碼與數(shù)據(jù)將永久保存,并且不能夠進行修改。
42、一般應(yīng)用于PC系統(tǒng)的程序碼、主機板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統(tǒng)Basic Input/Output System)等。
43、它的讀取速度比RAM慢很多。
44、根據(jù)組成元件的不同,ROM內(nèi)存又分為以下五種:1.MASK ROM(掩模型只讀存儲器)制造商為了大量生產(chǎn)ROM內(nèi)存,需要先制作一顆有原始數(shù)據(jù)的ROM或EPROM作為樣本,然后再大量復(fù)制,這一樣本就是MASK ROM,而燒錄在MASK ROM中的資料永遠無法做修改。
45、它的成本比較低。
46、2.PROM(Programmable ROM,可編程只讀存儲器)這是一種可以用刻錄機將資料寫入的ROM內(nèi)存,但只能寫入一次,所以也被稱為“一次可編程只讀存儲器”(One Time Progarmming ROM,OTP-ROM)。
47、PROM在出廠時,存儲的內(nèi)容全為1,用戶可以根據(jù)需要將其中的某些單元寫入數(shù)據(jù)0(部分的PROM在出廠時數(shù)據(jù)全為0,則用戶可以將其中的部分單元寫入1), 以實現(xiàn)對其“編程”的目的。
48、3.EPROM(Erasable Programmable,可擦可編程只讀存儲器)這是一種具有可擦除功能,擦除后即可進行再編程的ROM內(nèi)存,寫入前必須先把里面的內(nèi)容用紫外線照射它的IC卡上的透明視窗的方式來清除掉。
49、這一類芯片比較容易識別,其封裝中包含有“石英玻璃窗”,一個編程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干膠紙蓋住, 以防止遭到陽光直射。
50、4.EEPROM(Electrically Erasable Programmable,電可擦可編程只讀存儲器)功能與使用方式與EPROM一樣,不同之處是清除數(shù)據(jù)的方式,它是以約20V的電壓來進行清除的。
51、另外它還可以用電信號進行數(shù)據(jù)寫入。
52、這類ROM內(nèi)存多應(yīng)用于即插即用(PnP)接口中。
53、5.Flash Memory(快閃存儲器)這是一種可以直接在主機板上修改內(nèi)容而不需要將IC拔下的內(nèi)存,當(dāng)電源關(guān)掉后儲存在里面的資料并不會流失掉,在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉,然后才能再寫入新的資料,缺點為寫入資料的速度太慢。
本文分享完畢,希望對大家有所幫助。
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