關(guān)于二極管特性圖,二極管特性這個問題很多朋友還不知道,今天小六來為大家解答以上的問題,現(xiàn)在讓我們一起來看看吧!
1、二極管的特性:正向性外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區(qū)。
2、這個不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。
3、當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結(jié)內(nèi)電場被克服,二極管正向?qū)?,電流隨電壓增大而迅速上升。
4、在正常使用的電流范圍內(nèi),導(dǎo)通時二極管的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極管的正向電壓。
5、當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值,內(nèi)電場很快被削弱,特性電流迅速增長,二極管正向?qū)ā?/p>
6、叫做門坎電壓或閾值電壓,硅管約為0.5V,鍺管約為0.1V。
7、硅二極管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.8V,鍺二極管的正向?qū)▔航导s為0.2~0.3V。
8、2、反向性外加反向電壓不超過一定范圍時,通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運動所形成反向電流。
9、由于反向電流很小,二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。
10、這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流,二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。
11、一般硅管的反向電流比鍺管小得多,小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級,小功率鍺管在μA數(shù)量級。
12、溫度升高時,半導(dǎo)體受熱激發(fā),少數(shù)載流子數(shù)目增加,反向飽和電流也隨之增加。
13、1)、擊穿外加反向電壓超過某一數(shù)值時,反向電流會突然增大,這種現(xiàn)象稱為電擊穿。
14、引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。
15、電擊穿時二極管失去單向?qū)щ娦浴?/p>
16、如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱,則單向?qū)щ娦圆灰欢〞挥谰闷茐?,在撤除外加電壓后,其性能仍可恢?fù),否則二極管就損壞了。
17、因而使用時應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。
18、二極管是一種具有單向?qū)щ姷亩似骷须娮佣O管和晶體二極管之分,電子二極管因為燈絲的熱損耗,效率比晶體二極管低,所以現(xiàn)已很少見到,比較常見和常用的多是晶體二極管。
19、二極管的單向?qū)щ娞匦?,幾乎在所有的電子電路中,都要用到半?dǎo)體二極管,它在許多的電路中起著重要的作用,它是誕生最早的半導(dǎo)體器件之一,其應(yīng)用也非常廣泛。
20、二極管的管壓降:硅二極管(不發(fā)光類型)正向管壓降0.7V,鍺管正向管壓降為0.3V,發(fā)光二極管正向管壓降會隨不同發(fā)光顏色而不同。
21、主要有三種顏色,具體壓降參考值如下:紅色發(fā)光二極管的壓降為2.0--2.2V,黃色發(fā)光二極管的壓降為1.8—2.0V,綠色發(fā)光二極管的壓降為3.0—3.2V,正常發(fā)光時的額定電流約為20mA。
22、二極管的電壓與電流不是線性關(guān)系,所以在將不同的二極管并聯(lián)的時候要接相適應(yīng)的電阻。
23、2)、特性曲線與PN結(jié)一樣,二極管具有單向?qū)щ娦浴?/p>
24、硅二極管典型伏安特性曲線(圖)。
25、在二極管加有正向電壓,當(dāng)電壓值較小時,電流極?。划?dāng)電壓超過0.6V時,電流開始按指數(shù)規(guī)律增大,通常稱此為二極管的開啟電壓;當(dāng)電壓達到約0.7V時,二極管處于完全導(dǎo)通狀態(tài),通常稱此電壓為二極管的導(dǎo)通電壓,用符號UD表示。
26、對于鍺二極管,開啟電壓為0.2V,導(dǎo)通電壓UD約為0.3V。
27、在二極管加有反向電壓,當(dāng)電壓值較小時,電流極小,其電流值為反向飽和電流IS。
28、當(dāng)反向電壓超過某個值時,電流開始急劇增大,稱之為反向擊穿,稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓,用符號UBR表示。
29、不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大,從幾十伏到幾千伏。
30、3、反向擊穿1)、齊納擊穿反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。
31、在高摻雜濃度的情況下,因勢壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時,破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu),使價電子脫離共價鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。
32、如果摻雜濃度較低,勢壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊穿。
33、2)、雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。
34、當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時,外加電場使電子漂移速度加快,從而與共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對。
35、新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。
36、無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)永久性損壞。
37、主要參數(shù):用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo),稱為二極管的參數(shù)。
38、不同類型的二極管有不同的特性參數(shù)。
39、對初學(xué)者而言,必須了解以下幾個主要參數(shù):最大整流電流IF是指二極管長期連續(xù)工作時,允許通過的最大正向平均電流值,其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。
40、因為電流通過管子時會使管芯發(fā)熱,溫度上升,溫度超過容許限度(硅管為141左右,鍺管為90左右)時,就會使管芯過熱而損壞。
41、所以在規(guī)定散熱條件下,二極管使用中不要超過二極管最大整流電流值。
42、例如,常用的IN4001-4007型鍺二極管的額定正向工作電流為1A。
43、2、最高反向工作電壓Udrm加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時,會將管子擊穿,失去單向?qū)щ娔芰Α?/p>
44、為了保證使用安全,規(guī)定了最高反向工作電壓值。
45、例如,IN4001二極管反向耐壓為50V,IN4007反向耐壓為1000V。
46、3、反向電流Idrm反向電流是指二極管在常溫(25℃)和最高反向電壓作用下,流過二極管的反向電流。
47、反向電流越小,管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶谩?/p>
48、值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系,大約溫度每升高10℃,反向電流增大一倍。
49、例如2AP1型鍺二極管,在25℃時反向電流若為250uA,溫度升高到35℃,反向電流將上升到500uA,依此類推,在75℃時,它的反向電流已達8mA,不僅失去了單方向?qū)щ娞匦?,還會使管子過熱而損壞。
50、又如,2CP10型硅二極管,25℃時反向電流僅為5uA,溫度升高到75℃時,反向電流也不過160uA。
51、故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。
52、4.動態(tài)電阻Rd二極管特性曲線靜態(tài)工作點Q附近電壓的變化與相應(yīng)電流的變化量之比。
53、5最高工作頻率FmFm是二極管工作的上限頻率。
54、因二極管與PN結(jié)一樣,其結(jié)電容由勢壘電容組成。
55、所以Fm的值主要取決于PN結(jié)結(jié)電容的大小。
56、若是超過此值。
57、則單向?qū)щ娦詫⑹苡绊憽?/p>
58、6,電壓溫度系數(shù)αuzαuz指溫度每升高一攝氏度時的穩(wěn)定電壓的相對變化量。
59、uz為6v左右的穩(wěn)壓二極管的溫度穩(wěn)定性較好。
本文分享完畢,希望對大家有所幫助。
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