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ddr內(nèi)存在一個(gè)時(shí)鐘脈沖周期內(nèi)傳輸多少次數(shù)據(jù)(ddr內(nèi)存)

導(dǎo)讀 關(guān)于ddr內(nèi)存在一個(gè)時(shí)鐘脈沖周期內(nèi)傳輸多少次數(shù)據(jù),ddr內(nèi)存這個(gè)問(wèn)題很多朋友還不知道,今天小六來(lái)為大家解答以上的問(wèn)題,現(xiàn)在讓我們一起來(lái)看

關(guān)于ddr內(nèi)存在一個(gè)時(shí)鐘脈沖周期內(nèi)傳輸多少次數(shù)據(jù),ddr內(nèi)存這個(gè)問(wèn)題很多朋友還不知道,今天小六來(lái)為大家解答以上的問(wèn)題,現(xiàn)在讓我們一起來(lái)看看吧!

1、嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱(chēng)為DDR,部分初學(xué)者也??吹紻DR SDRAM,就認(rèn)為是SDRAM。

2、DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě),是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。

3、DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對(duì)于內(nèi)存廠(chǎng)商而言,只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn),即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。

4、 SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱(chēng)為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。

5、DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線(xiàn)頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。

6、 與SDRAM相比:DDR運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路,使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行,又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào))技術(shù),當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí),存儲(chǔ)控制器可使用這個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)來(lái)精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來(lái)自不同存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)。

7、DDL本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度,它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù),因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRA的兩倍。

8、 從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大,他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。

9、但DDR為184針腳,比SDRAM多出了16個(gè)針腳,主要包含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號(hào)。

10、DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn),而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。

11、 DDR2內(nèi)存起始頻率從DDR內(nèi)存最高標(biāo)準(zhǔn)頻率400Mhz開(kāi)始,現(xiàn)已定義可以生產(chǎn)的頻率支持到533Mhz到667Mhz,標(biāo)準(zhǔn)工作頻率工作頻率分別是200/266/333MHz,工作電壓為1.8V。

12、DDR2采用全新定義的240 PIN DIMM接口標(biāo)準(zhǔn),完全不兼容于DDR的184PIN DIMM接口標(biāo)準(zhǔn)。

13、 DDR2和DDR一樣,采用了在時(shí)鐘的上升延和下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?,但是最大的區(qū)別在于,DDR2內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取。

14、兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的2BIT預(yù)讀取,這就意味著,DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力,因此,DDR2則簡(jiǎn)單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力。

15、 DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于所謂的兩倍于DDR的傳輸能力,而是,在采用更低發(fā)熱量,更低功耗的情況下,反而獲得更快的頻率提升,突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。

16、 DDR2顯存可以看作是DDR顯存的一種升級(jí)和擴(kuò)展,DDR2顯存把DDR顯存的“2bit Prefetch(2位預(yù)取)”技術(shù)升級(jí)為“4 bit Prefetch(4位預(yù)取)”機(jī)制,在相同的核心頻率下其有效頻率比DDR顯存整整提高了一倍,在相同顯存位寬的情況下,把顯存帶寬也整整提高了一倍,這對(duì)顯卡的性能提升是非常有益的。

17、從技術(shù)上講,DDR2顯存的DRAM核心可并行存取,在每次存取中處理4個(gè)數(shù)據(jù)而非DDR顯存的2個(gè)數(shù)據(jù),這樣DDR2顯存便實(shí)現(xiàn)了在每個(gè)時(shí)鐘周期處理4bit數(shù)據(jù),比傳統(tǒng)DDR顯存處理的2bit數(shù)據(jù)提高了一倍。

18、相比DDR顯存,DDR2顯存的另一個(gè)改進(jìn)之處在于它采用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式,工作電壓也由2.5V降為1.8V。

19、 由于DDR2顯存提供了更高頻率,性能相應(yīng)得以提升,但也帶來(lái)了高發(fā)熱量的弊端。

20、加之結(jié)構(gòu)限制無(wú)法采用廉價(jià)的TSOP封裝,不得不采用成本更高的BGA封裝(DDR2的初期產(chǎn)能不足,成本問(wèn)題更甚)。

21、發(fā)熱量高、價(jià)格昂貴成為采用DDR2顯存顯卡的通病,如率先采用DDR2顯存的的GeForce FX 5800/5800Ultra系列顯卡就是比較失敗的產(chǎn)品。

22、基于以上原因,DDR2并未在主流顯卡上廣泛應(yīng)用 ??復(fù)制的答案。

本文分享完畢,希望對(duì)大家有所幫助。

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