晶格能計算公式（晶格能）

關于晶格能計算公式，晶格能這個問題很多朋友還不知道，今天小六來為大家解答以上的問題，現(xiàn)在讓我們一起來看看吧！

1、晶格能又叫點陣能。

2、它是在反應時1mol離子化合物中的正、負離子從相互分離的氣態(tài)結合成離子晶體時所放出的能量。

3、用化學反應式表示時，相當于下面反應式的焓變的負值。

4、 a Mz (g) b Xz-(g)→ MaXb(s) U=-ΔH 晶格能也可以說是破壞1mol晶體，使它變成完全分離的氣態(tài)自由離子所需要消耗的能量。

5、晶格能越大，表示離子鍵越強，晶體越穩(wěn)定。

6、晶格能的數(shù)值有兩個來源。

7、第一是理論計算值。

8、它是根據(jù)離子晶體模型，考慮其中任一離子跟周圍異號離子間的吸引作用，以及跟其他同號離子間的排斥作用推導出下列近似公式計算得到的。

9、 式中Z是離子價數(shù)，R0是一對離子間的平均距離，A是跟一定的晶格類型有關的常數(shù)，NA是阿夫加德羅常數(shù)，m是跟離子的電子層構型有關的常數(shù)，它的值可取5～12，ε0是真空電容率（8.85419×10-12庫-2·牛-1·米-2）。

10、例如，氯化鈉晶體的Z =Z-=1，R0=2.814×10-10m，m=8，A=1.7476，代入上述公式可得U=755kJ/mol。

11、第二是熱化學實驗值。

12、設計一個熱化學循環(huán)，然后根據(jù)實驗測得的熱化學量（如生成熱、升華熱、離解熱、電離能、電子親合勢）進行計算。

13、影響晶格能大小的因素主要是離子半徑、離子電荷以及離子的電子層構型等。

14、例如，隨著鹵離子半徑增大，鹵化物的晶格能降低；高價化合物的晶格能遠大于低價離子化合物的晶格能，如UTiN＞UMgO＞UNaCl。

15、此外，Cu 和Na 半徑相近、離子電荷相同，但Cu 是18電子構型，對陰離子會產生極化作用，因此UCu2S

16、離子化合物都有較高的熔點和沸點，這是和它們離子晶體有很大的晶格能有關。

17、由于UMgO＞UNaF，MgO的熔點（2800℃）比NaF的熔點（988℃）高得多。

18、晶格能的大小決定離子晶體的穩(wěn)定性，用它可以解釋和預言離子晶體的許多物理和化學性質。

19、例如，根據(jù)晶格能大小可以求得難以從實驗測出的電子親和勢，可以求得離子化合物的溶解熱，并能預測溶解時的熱效應。

20、 標準態(tài)下，拆開單位物質的量的離子晶體使其變?yōu)闅鈶B(tài)組分離子所需吸收的能量，稱為離子晶體的晶格能。

21、 晶格能越大，熔化或破壞離子晶體時消耗的能量就越大，相應的熔點就越高，硬度就較大。

22、亞銅離子為18電子構型，鈉離子為8電子構型，亞銅離子的極化作用大于鈉離子，所以共價鍵成分更多，晶格能更小，熔沸點更低。

23、因此UCu2S

本文分享完畢，希望對大家有所幫助。

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