對(duì)過去事件和經(jīng)歷的記憶定義了我們是誰，但形成這些情景記憶的能力會(huì)隨著年齡、某些癡呆癥和腦損傷而下降。然而，格拉斯哥大學(xué)的 Mircea van der Plas 和 Simon Hanslmayr 及其同事于 9 月 28日在開放獲取期刊PLOS Biology上發(fā)表的一項(xiàng)研究表明，低頻重復(fù)經(jīng)顱磁刺激(或 rTMS)通過左前額葉皮層傳遞當(dāng)記憶形成時(shí)，大腦可以通過降低低頻腦電波的功率來提高記憶性能。
根據(jù)目前對(duì)大腦和 rTMS 的影響的知識(shí)，研究人員假設(shè)它們可以改善情景記憶，并在此過程中為未來的記憶相關(guān)療法生成目標(biāo)。
研究人員首先分析了 40 名被要求記住單詞列表的大學(xué)生的過去數(shù)據(jù)。一半的學(xué)生在嘗試記憶單詞時(shí)接受了左背外側(cè)前額葉皮層的慢速 rTMS，而另一半則接受了大腦控制區(qū)域的 rTMS。在一項(xiàng)新實(shí)驗(yàn)中，研究人員收集了 24 名大學(xué)生的數(shù)據(jù)，他們?cè)趦煞N rTMS 條件下都執(zhí)行了類似的記憶任務(wù)。
對(duì)兩個(gè)數(shù)據(jù)集的分析表明，在左側(cè)前額葉皮層受到刺激時(shí)記憶的單詞的記憶性能更好。檢查在實(shí)驗(yàn)過程中記錄的腦電圖數(shù)據(jù)，研究人員發(fā)現(xiàn)，應(yīng)用于前額葉區(qū)域的慢速 rTMS 導(dǎo)致大腦頂葉區(qū)域的低頻 (β) 波功率降低，眾所周知，這與注意力和感知。
由于慢 rTMS 抑制大腦活動(dòng)，而前額葉皮層抑制大腦的后部區(qū)域，van der Plas 和合著者推測(cè)慢 rTMS 抑制了頂葉區(qū)域的活動(dòng)，從而增強(qiáng)了記憶單詞的編碼，并且從而提高了記憶力。
van der Plas 指出，“我們的電生理結(jié)果表明，額葉刺激會(huì)影響更廣泛的網(wǎng)絡(luò)，并通過抑制頂葉區(qū)域來改善記憶形成。這些是復(fù)雜但有趣的效應(yīng)，需要進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)來更好地了解它們的神經(jīng)基礎(chǔ)。”
Hanslmayr 補(bǔ)充說：“當(dāng)我們?cè)诘谝豁?xiàng)研究中看到這些影響時(shí)，我們感到非常驚訝，該研究旨在調(diào)查一個(gè)不同的問題。因此，我們需要在第二個(gè)實(shí)驗(yàn)中復(fù)制這些效果，看看這是否真實(shí)，而且看起來確實(shí)如此。”
標(biāo)簽：
免責(zé)聲明：本文由用戶上傳，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除！